FQP19N20C、STP19NF20、FQP19N20C_F080对比区别

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型号 FQP19N20C STP19NF20 FQP19N20C_F080

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP19N20C.  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsMOSFET Trans MOS N-Ch 200V 19A 3Pin 3+Tab

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 140 mΩ 0.15 Ω 150 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 139 W 90 W 139 W

阈值电压 4 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 19.0 A 7.50 A 19A

上升时间 150 ns 22 ns 150 ns

正向电压(Max) - 1.6 V -

输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 1080pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 139 W 90 W -

下降时间 115 ns 11 ns 115 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 139 W 90000 mW 139W (Tc)

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 19.0 A - -

针脚数 3 - -

漏源击穿电压 200 V - 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

通道数 - - 1

长度 10.1 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 9.4 mm 9.15 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -