FQP19N20C_F080
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP19N20C_F080中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 139 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 1080pF @25VVds
下降时间 115 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 139W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQP19N20C_F080引脚图与封装图
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在线购买FQP19N20C_F080
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP19N20C_F080 | Fairchild 飞兆/仙童 | MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 19A 3Pin 3+Tab | 搜索库存 |
替代型号FQP19N20C_F080
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP19N20C_F080 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-CH 200V 19A | 当前型号 | MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 19A 3Pin 3+Tab | 当前型号 |
| 型号： FQP19N20C 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 200V 19A 170mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP19N20C. 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 V | FQP19N20C_F080和FQP19N20C的区别 |