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BCW33LT1G、BCW33T116、BC848C-7-F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW33LT1G BCW33T116 BC848C-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCW33LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFETRANS NPN 32V 0.1A SST3DIODES INC.  BC848C-7-F  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 600 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - - 300 MHz

针脚数 3 - 3

极性 NPN - NPN

耗散功率 300 mW - 300 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 800 - 800 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW - 300 mW

直流电流增益(hFE) 420 - 600

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 350 mW

额定电压(DC) 32.0 V 32.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

长度 2.9 mm - 3.05 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.94 mm - 0.98 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99