IXFH58N20、STW40NF20、MTW32N20EG对比区别

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型号 IXFH58N20 STW40NF20 MTW32N20EG

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH58N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 200 V, 40 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 58.0 A 40.0 A 32.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.04 Ω 0.038 Ω 0.075 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 160 W 180 W

阈值电压 4 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V 200 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 58.0 A 25.0 A, 40.0 A 32.0 A

上升时间 15 ns 44 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 160 W 180 W

下降时间 16 ns 22 ns 91 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 160W (Tc) 180W (Tc)

额定功率 300 W - -

针脚数 3 3 -

输入电容 - 2.50 nF -

栅电荷 - 75.0 nC -

宽度 - 5.15 mm 5.3 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

高度 - 20.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99