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TLC271CDR、TLC272IDRG4、TLC271ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC271CDR TLC272IDRG4 TLC271ID

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLC271CDR  单运算放大器路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLC271ID  运算放大器, 单路, 1.7 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 3V ~ 16V - 3V ~ 16V

输出电流 - ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 950 µA 1.4 mA 950 µA

电路数 1 2 1

通道数 1 2 1

针脚数 8 - 8

耗散功率 725 mW 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz 1.70 MHz 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 2.2 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 10 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz - 2.2 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 16V - 4V ~ 16V

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -