输出电流 ≤30 mA
供电电流 1.4 mA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 0.725 W
共模抑制比 65 dB
输入补偿漂移 1.80 µV/K
带宽 1.70 MHz
转换速率 3.60 V/μs
增益频宽积 2.2 MHz
输入补偿电压 10 mV
输入偏置电流 0.7 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 65 dB
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLC272IDRG4引脚图
TLC272IDRG4封装图
TLC272IDRG4封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TLC272IDRG4 | TI 德州仪器 | 路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TLC272IDRG4 品牌: TI 德州仪器 封装: SOIC 8Pin 3.6V/us 2Channel | 当前型号 | 路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | 当前型号 | |
型号: TLC271CD 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 320kHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS TLC271CD 运算放大器, 单路, 1.3 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚 | TLC272IDRG4和TLC271CD的区别 | |
型号: TLC272IDR 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 320kHz 2Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS TLC272IDR 运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚 | TLC272IDRG4和TLC272IDR的区别 | |
型号: TLC271CDR 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 320kHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS TLC271CDR 单运算放大器 | TLC272IDRG4和TLC271CDR的区别 |