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M29W040B70N1T、M29W040B70N6T、M29W040B70N1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W040B70N1T M29W040B70N6T M29W040B70N1

描述 4兆位512KB ×8 ,统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory4兆位512KB ×8 ,统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory4兆位512KB ×8 ,统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 TSOP-32 TSOP1 TSOP-32

存取时间 70.0 ns - 70.0 ns

电源电压 - - 2.7V ~ 3.6V

内存容量 4000000 B - -

封装 TSOP-32 TSOP1 TSOP-32

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tray

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free