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M29W040B70N1T

数据手册.pdf
ST Microelectronics 意法半导体 电子元器件分类
M29W040B70N1T中文资料参数规格
技术参数

存取时间 70.0 ns

内存容量 4000000 B

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-32

外形尺寸

封装 TSOP-32

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

M29W040B70N1T引脚图与封装图
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在线购买M29W040B70N1T
型号 制造商 描述 购买
M29W040B70N1T ST Microelectronics 意法半导体 4兆位512KB ×8 ,统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory 搜索库存
替代型号M29W040B70N1T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: M29W040B70N1T

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TSOP-1-32 4000000B 70ns

当前型号

4兆位512KB ×8 ,统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

当前型号

型号: M29W040B70N1

品牌: 意法半导体

封装: 32-TSOP 70ns

完全替代

4兆位512KB ×8 ,统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

M29W040B70N1T和M29W040B70N1的区别

型号: M29W040B70N6E

品牌: 意法半导体

封装: TSOP 500000B 3.6V 32Pin

功能相似

4兆位512KB ×8 ,统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

M29W040B70N1T和M29W040B70N6E的区别