M29W040B70N1
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
M29W040B70N1中文资料参数规格
技术参数
存取时间 70.0 ns
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP-32
外形尺寸
封装 TSOP-32
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
M29W040B70N1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买M29W040B70N1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M29W040B70N1 | ST Microelectronics 意法半导体 | 4兆位512KB ×8 ，统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory | 搜索库存 |
替代型号M29W040B70N1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M29W040B70N1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 32-TSOP 70ns | 当前型号 | 4兆位512KB ×8 ，统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory | 当前型号 |
| 型号： M29W040B70N6E 品牌： 意法半导体 封装： TSOP 500000B 3.6V 32Pin | 完全替代 | 4兆位512KB ×8 ，统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory | M29W040B70N1和M29W040B70N6E的区别 |
| 型号： M29W040B70N1T 品牌： 意法半导体 封装： TSOP-1-32 4000000B 70ns | 完全替代 | 4兆位512KB ×8 ，统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory | M29W040B70N1和M29W040B70N1T的区别 |
| 型号： M29W040B70N6T 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | 4兆位512KB ×8 ，统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory | M29W040B70N1和M29W040B70N6T的区别 |