JANTX2N7334、JANTXV2N7334、2N7334对比区别

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型号 JANTX2N7334 JANTXV2N7334 2N7334

描述 Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-14Trans MOSFET N-CH 100V 1A 14Pin MO-036ABMosfet 4n-Ch 100V 1A Mo-036ab

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

安装方式 - - Through Hole

引脚数 14 14 14

封装 MO-036AB MO-036AB DIP-14

漏源极电压(Vds) - - 100 V

额定功率(Max) - - 1.4 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW 1400 mW

输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds) -

封装 MO-036AB MO-036AB DIP-14

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead