JANTXV2N7334
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
JANTXV2N7334中文资料参数规格
技术参数
输入电容Ciss 180pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
引脚数 14
封装 MO-036AB
外形尺寸
封装 MO-036AB
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
JANTXV2N7334引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N7334
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N7334 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 14Pin MO-036AB | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N7334
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N7334 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 14Pin MO-036AB | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N7334 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | Power Field-Effect Transistor, 1A ID, 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-14 | JANTXV2N7334和JANTX2N7334的区别 |
| 型号： 2N7334 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 1A ID, 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, | JANTXV2N7334和2N7334的区别 |
