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PSMN008-75P,127

PSMN008-75P,127

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

TO-220AB N-CH 75V 75A

N-Channel 75V 75A Tc 230W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


PSMN008-75P,127中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 230 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 75A

输入电容Ciss 5260pF @25VVds

额定功率Max 230 W

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PSMN008-75P,127引脚图与封装图
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在线购买PSMN008-75P,127
型号 制造商 描述 购买
PSMN008-75P,127 NXP 恩智浦 TO-220AB N-CH 75V 75A 搜索库存
替代型号PSMN008-75P,127
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PSMN008-75P,127

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-220-3 N-CH 75V 75A

当前型号

TO-220AB N-CH 75V 75A

当前型号

型号: AUIRFZ44ZS

品牌: 英飞凌

封装: TO-263 N-CH 55V 51A

功能相似

INFINEON  AUIRFZ44ZS  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 2 V

PSMN008-75P,127和AUIRFZ44ZS的区别

型号: AOT430

品牌: 万代半导体

封装: TO-220 N-CH 75V 80A

功能相似

TO-220 N-CH 75V 80A

PSMN008-75P,127和AOT430的区别