极性 N-CH
耗散功率 230 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 75A
输入电容Ciss 5260pF @25VVds
额定功率Max 230 W
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PSMN008-75P,127 | NXP 恩智浦 | TO-220AB N-CH 75V 75A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PSMN008-75P,127 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-220-3 N-CH 75V 75A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 75V 75A | 当前型号 | |
型号: AUIRFZ44ZS 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 N-CH 55V 51A | 功能相似 | INFINEON AUIRFZ44ZS 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 2 V | PSMN008-75P,127和AUIRFZ44ZS的区别 | |
型号: AOT430 品牌: 万代半导体 封装: TO-220 N-CH 75V 80A | 功能相似 | TO-220 N-CH 75V 80A | PSMN008-75P,127和AOT430的区别 |