MPSA13G、MPSA13RLRPG、MPSA13-AP对比区别

高亮显示差异参数

型号 MPSA13G MPSA13RLRPG MPSA13-AP

描述 ON SEMICONDUCTOR  MPSA13G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 625 mW, 500 mA, 10000 hFE达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN SiliconMPSA13 系列 30 V 500 mA 表面贴装 NPN 硅 达林顿 晶体管 - TO-92-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 625 mW 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V 5000

最大电流放大倍数(hFE) - - 5000 @10mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 1.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 125MHz (Min) 125MHz (Min) 125MHz (Min)

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 1500 mW

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

输出电压 30 V - -

输出电流 500 mA - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 10000 - -

输入电压 10 V - -

长度 5.2 mm 5.2 mm 4.7 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 3.68 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 4.7 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99