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MPSA13-AP

MPSA13 系列 30 V 500 mA 表面贴装 NPN 硅 达林顿 晶体管 - TO-92-3

Do you need a device that can yield much higher current gains? Thanks to , the NPN Darlington transistor can amplify a current to meet your needs. This product"s maximum continuous DC collector current is 0.5 A, while its minimum DC current gain is 10000@100mA@5 V|5000@10mA@5V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.5@0.1mA@100mA V. This Darlington transistor array"s maximum emitter base voltage is 10 V. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This Darlington transistor array has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 10 V.

MPSA13-AP中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 5000

最大电流放大倍数hFE 5000 @10mA, 5V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.68 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MPSA13-AP引脚图与封装图
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在线购买MPSA13-AP
型号 制造商 描述 购买
MPSA13-AP Micro Commercial Components 美微科 MPSA13 系列 30 V 500 mA 表面贴装 NPN 硅 达林顿 晶体管 - TO-92-3 搜索库存
替代型号MPSA13-AP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MPSA13-AP

品牌: Micro Commercial Components 美微科

封装: TO-92 NPN 1500mW

当前型号

MPSA13 系列 30 V 500 mA 表面贴装 NPN 硅 达林顿 晶体管 - TO-92-3

当前型号

型号: MPSA13

品牌: NTE Electronics

封装: NPN

类似代替

NTE ELECTRONICS MPSA13 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100V, 200MHz, 1.5W, 500mA, 10000 hFE

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