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FJV4114RMTF、MMUN2133LT1G、MUN2133T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV4114RMTF MMUN2133LT1G MUN2133T1

描述 特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=47KΩ)•到FJV3114R补ON SEMICONDUCTOR  MMUN2133LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率, SOT-23偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 246 mW 230 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

耗散功率 0.2 W 0.4 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200 mW 400 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 68 - -

增益带宽 200 MHz - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.92 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.93 mm 1.01 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -