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FJV4114RMTF

FJV4114RMTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=47KΩ)•到FJV3114R补

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 68 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching Application Bias Resistor Built In • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=4.7KΩ, R2=47KΩ • Complement to FJV3114R 描述与应用| 特点 •开关应用(偏置电阻内置) •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=47KΩ) •到FJV3114R补

FJV4114RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 68

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJV4114RMTF引脚图与封装图
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在线购买FJV4114RMTF
型号 制造商 描述 购买
FJV4114RMTF Fairchild 飞兆/仙童 特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=47KΩ)•到FJV3114R补 搜索库存
替代型号FJV4114RMTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJV4114RMTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW

当前型号

特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=47KΩ)•到FJV3114R补

当前型号

型号: MMUN2132LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2132LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

FJV4114RMTF和MMUN2132LT1G的区别

型号: MMUN2133LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2133LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率, SOT-23

FJV4114RMTF和MMUN2133LT1G的区别

型号: DTA143ZET1G

品牌: 安森美

封装: SC-75 PNP -50V -100mA 300mW

功能相似

PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

FJV4114RMTF和DTA143ZET1G的区别