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BC640G、MPS6523G、PN4250对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC640G MPS6523G PN4250

描述 高电流晶体管 High Current Transistors放大器晶体管 Amplifier TransistorsPNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) -80.0 V -25.0 V -40.0 V

额定电流 -500 mA 100 mA -500 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 25 V 40 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.1A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 300 @2mA, 10V 250 @100µA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - 600 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - -

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Box Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99