BC640G、MPS6523G、PN4250对比区别
描述 高电流晶体管 High Current Transistors放大器晶体管 Amplifier TransistorsPNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
额定电压(DC) -80.0 V -25.0 V -40.0 V
额定电流 -500 mA 100 mA -500 mA
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 - 625 mW 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 25 V 40 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.1A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 300 @2mA, 10V 250 @100µA, 5V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
直流电流增益(hFE) - 600 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - -
长度 - 5.2 mm -
宽度 - 4.19 mm -
高度 - 5.33 mm -
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Box Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99