额定电压DC -25.0 V
额定电流 100 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 300 @2mA, 10V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 600
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MPS6523G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 PNP -25V 100mA | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 | |
型号: BC640G 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -80V -500mA | 类似代替 | 高电流晶体管 High Current Transistors | MPS6523G和BC640G的区别 | |
型号: BC640TA 品牌: 安森美 封装: TO-92 1000mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC640TA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | MPS6523G和BC640TA的区别 | |
型号: PN4250 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -40V -500mA | 功能相似 | PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier | MPS6523G和PN4250的区别 |