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BFG505/XT/R、BFG505/X、BFG505/X,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFG505/XT/R BFG505/X BFG505/X,215

描述 TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small SignalBFG505/X NPN三极管 20V 18mA 9Ghz 120~250 SOT-143 marking/标记 WMK 高功率增益 低噪声系数射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-143 SOT-143 TO-253-4

引脚数 - - 4

封装 SOT-143 SOT-143 TO-253-4

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape, Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

额定电压(DC) 6.00 V - -

额定电流 18.0 mA - -

耗散功率 - - 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 15 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 60 @5mA, 6V

最大电流放大倍数(hFE) - - 60

额定功率(Max) - - 150 mW

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 150 mW

材质 - - Silicon

工作温度 - - 175℃ (TJ)