BFG505/X,215
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BFG505/X,215中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 TO-253-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFG505/X,215引脚图与封装图
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在线购买BFG505/X,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFG505/X,215 | NXP 恩智浦 | 射频RF双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | 搜索库存 |
替代型号BFG505/X,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFG505/X,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-253-4 150mW | 当前型号 | 射频RF双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | 当前型号 |
| 型号： BFG505/XT/R 品牌： 恩智浦 封装： SOT-143 6V 18mA | 类似代替 | TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small Signal | BFG505/X,215和BFG505/XT/R的区别 |
| 型号： BFG505/X 品牌： 恩智浦 封装： SOT-143 | 功能相似 | BFG505/X NPN三极管 20V 18mA 9Ghz 120~250 SOT-143 marking/标记 WMK 高功率增益 低噪声系数 | BFG505/X,215和BFG505/X的区别 |