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NXP 恩智浦 分立器件

BFG505/X NPN三极管 20V 18mA 9Ghz 120~250 SOT-143 marking/标记 WMK 高功率增益 低噪声系数

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 15V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 18mA

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 9Ghz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~250

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage|

耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W

Description & Applications| • NPN 9 GHz wideband transistors • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. RF front end applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones CT1, CT2, DECT, etc., radar detectors, pagers and satellite TV tuners SATV.

描述与应用| •NPN9 GHz的宽带 •高功率增益 •低噪声系数 •高转换频率 •黄金金属确保卓越的可靠性。 RF前端应用在GHz范围内,如 模拟和数字蜂窝电话,无绳电话 (CT1,CT2,DECT等),雷达探测器,寻呼机和 卫星电视调谐器(SATV)

BFG505/X中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BFG505/X引脚图与封装图
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在线购买BFG505/X
型号 制造商 描述 购买
BFG505/X NXP 恩智浦 BFG505/X NPN三极管 20V 18mA 9Ghz 120~250 SOT-143 marking/标记 WMK 高功率增益 低噪声系数 搜索库存
替代型号BFG505/X
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFG505/X

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-143

当前型号

BFG505/X NPN三极管 20V 18mA 9Ghz 120~250 SOT-143 marking/标记 WMK 高功率增益 低噪声系数

当前型号

型号: BFG505/X,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-253-4 150mW

功能相似

射频RF双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS

BFG505/X和BFG505/X,215的区别

型号: BFG505/XT/R

品牌: 恩智浦

封装: SOT-143 6V 18mA

功能相似

TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small Signal

BFG505/X和BFG505/XT/R的区别