IPP50R199CP、IPP50R199CPHKSA1、IPA50R199CP对比区别

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型号 IPP50R199CP IPP50R199CPHKSA1 IPA50R199CP

描述 INFINEON  IPP50R199CP.  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPP50R199CPHKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPA50R199CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 139 W 139 W 139 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 550 V 550 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 17A 17.0 A

上升时间 14 ns 14 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @100V(Vds) 1800pF @100V(Vds) 1800pF @100V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 139W (Tc) 139W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 500 V - -

额定功率(Max) 139 W - 139 W

长度 10 mm 10 mm 10.65 mm

宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.85 mm

高度 15.65 mm 15.65 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99