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IPP50R199CP

IPP50R199CP

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPP50R199CP.  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

, SP000236074


立创商城:
N沟道 550V 17A


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MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP


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MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V


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Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin TO-220 Tube


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500V,17A,N沟道功率MOSFET


IPP50R199CP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1800pF @100VVds

额定功率Max 139 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPP50R199CP引脚图与封装图
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在线购买IPP50R199CP
型号 制造商 描述 购买
IPP50R199CP Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP50R199CP.  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPP50R199CP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPP50R199CP

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220AB N-Channel 500V 17A

当前型号

INFINEON  IPP50R199CP.  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： IPA50R199CP

品牌： 英飞凌

封装： TO-220FP N-Channel 500V 17A

类似代替

INFINEON  IPA50R199CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

IPP50R199CP和IPA50R199CP的区别

型号： IPP50R199CPHKSA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 500V 17A

类似代替

INFINEON  IPP50R199CPHKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

IPP50R199CP和IPP50R199CPHKSA1的区别

型号： STF23NM50N

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel

功能相似

STMICROELECTRONICS  STF23NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V

IPP50R199CP和STF23NM50N的区别