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IPP50R199CPHKSA1

IPP50R199CPHKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPP50R199CPHKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

The IPP50R199CP is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM.

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Ultra low gate charge
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Extreme dV/dt rate
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Ultra low RDS ON, ultra-low gate charge, very fast switching
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Vth 3V, gfs very high, internal Rg very low
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High current capability
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Significant reduction of conduction and switching losses
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High power density and efficiency for superior power conversion systems
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Best-in-class performance ratio
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Halogen-free, Green device
IPP50R199CPHKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 550 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1800pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 139W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Alternative Energy, Communications & Networking, 替代能源, Power Management, 通信与网络, Power Management, Alternative Energy, Communications & Networking, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPP50R199CPHKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPP50R199CPHKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP50R199CPHKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP50R199CPHKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPP50R199CPHKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP50R199CPHKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 500V 17A

当前型号

INFINEON  IPP50R199CPHKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPP50R199CP

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB N-Channel 500V 17A

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