MMBTA06LT1、MMBTA06LT1G、MMBTA06-TP对比区别

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型号 MMBTA06LT1 MMBTA06LT1G MMBTA06-TP

描述 驱动晶体管（ NPN硅） Driver Transistors(NPN Silicon)NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管SOT-23 NPN 80V 0.5A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

额定功率 - 225 mW -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 225 mW 0.3 W

增益频宽积 - 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -