MMBTA06LT1
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMBTA06LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTA06LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBTA06LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA06LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 驱动晶体管（ NPN硅） Driver TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBTA06LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA06LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 80V 500mA | 当前型号 | 驱动晶体管（ NPN硅） Driver TransistorsNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBTA06LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 80V 500mA 300mW | 完全替代 | NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MMBTA06LT1和MMBTA06LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA06LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 80V 500mA 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA06LT3G 双极性晶体管, NPN, 80V SOT-23 | MMBTA06LT1和MMBTA06LT3G的区别 |
| 型号： SMMBTA06LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300mW | 类似代替 | NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MMBTA06LT1和SMMBTA06LT1G的区别 |