锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BUX85、BUX85G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUX85 BUX85G

描述 SITCHMODE NPN硅功率晶体管 SITCHMODE NPN Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  BUX85G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 450 V, 4 MHz, 50 W, 2 A, 4 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 450 V 450 V

额定电流 2.00 A 2.00 A

极性 NPN NPN

耗散功率 50.0 W 50000mW

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 1.00 kV

集电极最大允许电流 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @100mA, 5V -

额定功率(Max) 50 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 Non-Compliant Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -