BUX85中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 450 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 50.0 W
击穿电压集电极-发射极 450 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 30 @100mA, 5V
额定功率Max 50 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BUX85引脚图与封装图
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在线购买BUX85
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUX85 | ON Semiconductor 安森美 | SITCHMODE NPN硅功率晶体管 SITCHMODE NPN Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号BUX85
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUX85 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO220 NPN 450V 2A 50W | 当前型号 | SITCHMODE NPN硅功率晶体管 SITCHMODE NPN Silicon Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： BUX85G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 450V 2A 50000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BUX85G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 450 V, 4 MHz, 50 W, 2 A, 4 hFE | BUX85和BUX85G的区别 |
| 型号： BUL44 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 400V 2A | 功能相似 | 功率晶体管2.0安培700伏40和100瓦 POWER TRANSISTOR 2.0 AMPERES 700 VOLTS 40 and 100 WATTS | BUX85和BUL44的区别 |
| 型号： 2SC5279 品牌： 东芝 封装： SIP NPN | 功能相似 | SIP NPN 400V 2A | BUX85和2SC5279的区别 |