IPD65R660CFDATMA1、IPD65R950CFDBTMA1、IPD65R660CFDBTMA1对比区别

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型号 IPD65R660CFDATMA1 IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R660CFDBTMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 700V 3.9A 3Pin TO-252 T/R单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 62.5 W 36.7 W 62.5 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.594 Ω - 0.594 Ω

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 62.5 W 36.7W (Tc) 62.5W (Tc)

阈值电压 3.5 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 6A - 6A

上升时间 8 ns 6.5 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 615pF @100V(Vds) 380pF @100V(Vds) 615pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 36.7 W 62.5 W

下降时间 10 ns 13.8 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 62.5W (Tc) 36.7W (Tc) 62.5W (Tc)

通道数 1 1 -

长度 6.5 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Last Time Buy Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free