IPD65R660CFDATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD65R660CFDATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 62.5 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.594 Ω
极性 N-CH
耗散功率 62.5 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 615pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IPD65R660CFDATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD65R660CFDATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD65R660CFDATMA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号IPD65R660CFDATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD65R660CFDATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 650V 6A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： IPD65R660CFDBTMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 650V 6A | 类似代替 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IPD65R660CFDATMA1和IPD65R660CFDBTMA1的区别 |
| 型号： IPD65R950CFDBTMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 700V 3.9A 3Pin TO-252 T/R | IPD65R660CFDATMA1和IPD65R950CFDBTMA1的区别 |