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SMUN5114T1G、SMUN5114T3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMUN5114T1G SMUN5114T3G

描述 数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 kSC-70 PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

极性 PNP PNP

耗散功率 310 mW 0.31 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 202 mW 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 310 mW

最大电流放大倍数(hFE) 80 -

封装 SC-70-3 SC-70-3

长度 2.1 mm -

宽度 1.24 mm -

高度 0.85 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99