FDI047AN08A0、IPB049NE7N3GATMA1、IPB049NE7N3G对比区别

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型号 FDI047AN08A0 IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3G

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的75V ， 80A ， 4.7mз N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mзINFINEON  IPB049NE7N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0044 ohm, 10 V, 3.1 V75V,80A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-262-3 TO-263 D2PAK

额定功率 - 150 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 4 mΩ 0.0044 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 150 W -

阈值电压 - 3.1 V -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A -

上升时间 88 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 3570pF @37.5V(Vds) -

下降时间 45 ns 8 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 310W (Tc) 150000 mW -

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

通道数 1 - -

输入电容 6.60 nF - -

栅电荷 92.0 nC - -

漏源击穿电压 75 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

额定功率(Max) 310 W - -

长度 10.29 mm 10.31 mm -

宽度 4.83 mm 9.45 mm -

高度 7.88 mm 4.57 mm -

封装 TO-262-3 TO-263 D2PAK

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -