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IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB049NE7N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0044 ohm, 10 V, 3.1 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB049NE7N3GATMA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0044 ohm, 10 V, 3.1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin2+Tab TO-263


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB049NE7N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 150 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0044 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 3.1 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3570pF @37.5VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Audio, Class D audio amplifiers, 车用, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, Automotive, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPB049NE7N3GATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB049NE7N3GATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB049NE7N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0044 ohm, 10 V, 3.1 V 搜索库存
替代型号IPB049NE7N3GATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB049NE7N3GATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263 N-Channel 75V 80A

当前型号

INFINEON  IPB049NE7N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0044 ohm, 10 V, 3.1 V

当前型号

型号: IPB049NE7N3G

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-Channel

完全替代

75V,80A,N沟道功率MOSFET

IPB049NE7N3GATMA1和IPB049NE7N3G的区别

型号: FDI047AN08A0

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-262 N-Channel 75V 80A 4mohms 6.6nF

功能相似

N沟道PowerTrench MOSFET的75V , 80A , 4.7mз N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз

IPB049NE7N3GATMA1和FDI047AN08A0的区别