FDI047AN08A0
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDI047AN08A0中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 75.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
输入电容 6.60 nF
栅电荷 92.0 nC
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 88 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDI047AN08A0引脚图与封装图
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在线购买FDI047AN08A0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDI047AN08A0 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的75V ， 80A ， 4.7mз N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз | 搜索库存 |
替代型号FDI047AN08A0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDI047AN08A0 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-262 N-Channel 75V 80A 4mohms 6.6nF | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的75V ， 80A ， 4.7mз N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз | 当前型号 |
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