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BDV64BG、BDW83C、BDV64A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDV64BG BDW83C BDV64A

描述 ON SEMICONDUCTOR  BDV64BG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORSSEMELAB  BDV64A  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 100 kHz, 125 W, -12 A, 1500 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 SOT-93

针脚数 3 - 3

极性 PNP, P-Channel NPN PNP, P-Channel

耗散功率 125 W 130 W 125 W

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 4V 750 @6A, 3V 1000

直流电流增益(hFE) 1000 750 1500

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) -100 V 100 V -

额定电流 -10.0 A 15.0 A -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

集电极最大允许电流 10A - -

额定功率(Max) 125 W 130 W -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 125000 mW 130000 mW -

额定功率 - 150 W -

封装 TO-247-3 TO-247-3 SOT-93

长度 15.2 mm - -

宽度 4.9 mm - -

高度 12.2 mm - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 2015/06/15

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -