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IRLR3915TRPBF

IRLR3915TRPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

N沟道 55 V 120 W 61 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Industry-leading quality
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Dynamic dv/dt Rating
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Fast Switching
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Fully Avalanche Rated
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175°C Operating Temperature
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Logic Level

得捷:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK


欧时:
INFINEON MOSFET IRLR3915TRPBF


立创商城:
N沟道 55V 30A


贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
MOSFET, 55V, 61A, 14 MOHM, 61 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 61A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IRLR3915TRPBF  MOSFET, N-CH, 55V, 30A, TO-252AA-3 New


儒卓力:
**N-CH 55V 30A 14mOhm TO252 **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK


IRLR3915TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 120 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 120 W

阈值电压 3 V

输入电容 1870 pF

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 61A

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 1870pF @25VVds

额定功率Max 120 W

下降时间 100 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

IRLR3915TRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRLR3915TRPBF Infineon 英飞凌 N沟道 55 V 120 W 61 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA 搜索库存
替代型号IRLR3915TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRLR3915TRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 61A

当前型号

N沟道 55 V 120 W 61 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA

当前型号

型号: IRLR3915PBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 55V 61A

类似代替

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IRLR3915TRPBF和IRLR3915PBF的区别

型号: AUIRLR3915

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 55V 61A

类似代替

DPAK N-CH 55V 61A

IRLR3915TRPBF和AUIRLR3915的区别

型号: AUIRLR3915TRL

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 55V 61A

类似代替

DPAK N-CH 55V 61A

IRLR3915TRPBF和AUIRLR3915TRL的区别