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BF1101WR、BF1201WR,115、BF2030W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1101WR BF1201WR,115 BF2030W

描述 BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHzMOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsBF2030W N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 ND 射频切换

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

频率 - 400 MHz -

额定电流 - 30 mA -

漏源极电压(Vds) - 10 V -

增益 - 29 dB -

测试电流 - 15 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

额定电压 - 10 V -

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free