STP20NM50、STW20NM50FD、FDP20N50对比区别

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型号 STP20NM50 STW20NM50FD FDP20N50

描述 STMICROELECTRONICS  STP20NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW20NM50FD  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP20N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.25 Ω 0.25 Ω 230 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 192 W 214 W 250 W

阈值电压 4 V 4 V 5 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 20.0 A

上升时间 16 ns 20 ns 375 ns

输入电容(Ciss) 1480pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 3120pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 192 W 214 W 250 W

下降时间 8.5 ns 15 ns 105 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 192W (Tc) 214W (Tc) 250W (Tc)

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 20.0 A 20.0 A -

长度 - 15.75 mm 10.1 mm

宽度 - 5.15 mm 4.7 mm

高度 - 20.15 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - NLR -