FDP20N50
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP20N50中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 230 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 375 ns
输入电容Ciss 3120pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 105 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Lighting, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDP20N50引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDP20N50
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP20N50 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP20N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDP20N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP20N50 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 500V 20A 230mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP20N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： STP20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP20NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 3.75 V | FDP20N50和STP20NK50Z的区别 |
| 型号： STP20NM50 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 550V 20A 250mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V | FDP20N50和STP20NM50的区别 |
| 型号： STP23NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel | 功能相似 | N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDP20N50和STP23NM50N的区别 |