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TCM1050D、TCM1050DR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TCM1050D TCM1050DR

描述 双瞬态电压抑制器 DUAL TRANSIENT-VOLTAGE SUPPRESSORS双路瞬态电压抑制器

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 晶闸管晶闸管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 -85.0 V -85.0 V

电路数 2 2

耗散功率 725 mW -

钳位电压 5 V -

保持电流(Max) 150mA (Min) 150mA (Min)

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

香港进出口证 - NLR