TCM1050DR
TI(德州仪器)
主动器件
TCM1050DR中文资料参数规格
技术参数
工作电压 -85.0 V
电路数 2
保持电流Max 150mA Min
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 -, 电信
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
TCM1050DR引脚图与封装图 
TCM1050DR引脚图
TCM1050DR封装图
TCM1050DR封装焊盘图
替代型号TCM1050DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TCM1050DR 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Pin | 当前型号 | 双路瞬态电压抑制器 | 当前型号 |
| 型号： TCM1050D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin | 完全替代 | 双瞬态电压抑制器 DUAL TRANSIENT-VOLTAGE SUPPRESSORS | TCM1050DR和TCM1050D的区别 |