IPB47N10S-33、IPB47N10S33ATMA1、SPI47N10对比区别

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型号 IPB47N10S-33 IPB47N10S33ATMA1 SPI47N10

描述 SIPMOS功率三极管特性N沟道增强模式 SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement modeD2PAK N-CH 100V 47ASIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3-1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 175W (Tc) 175 W 175W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 47A 47A 47.0 A

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 175W (Tc) 175W (Tc) 175W (Tc)

上升时间 23 ns - -

下降时间 15 ns - -

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 47.0 A

输入电容 - - 2.50 nF

栅电荷 - - 105 nC

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3-1

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -