BSO052N03S、FDS8817NZ、IRF8736PBF对比区别

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型号 BSO052N03S FDS8817NZ IRF8736PBF

描述 OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8817NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.8 VINFINEON  IRF8736PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - - 2.5 W

通道数 - - 1

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 0.0043 Ω 0.0054 Ω 0.0048 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 1.2 V 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 15.0 A 18A

上升时间 7.4 ns 13 ns 15 ns

正向电压(Max) - - 1 V

输入电容(Ciss) 5530pF @15V(Vds) 2400pF @15V(Vds) 2315pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W 1 W 2.5 W

下降时间 7.4 ns 7 ns 7.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

漏源击穿电压 - 30.0 V -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 18.0 A - -

输入电容 5.53 nF - -

栅电荷 43.0 nC - -

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm

高度 1.75 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -