BSO052N03S
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSO052N03S中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 0.0043 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.2 V
输入电容 5.53 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 7.4 ns
输入电容Ciss 5530pF @15VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 7.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 PG-DSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSO052N03S引脚图与封装图
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在线购买BSO052N03S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSO052N03S | Infineon 英飞凌 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号BSO052N03S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： IRF8736PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 18A | 功能相似 | INFINEON IRF8736PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V | BSO052N03S和IRF8736PBF的区别 |