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FDS8817NZ
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8817NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.8 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.

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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High power and current handling capability
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3.8kV Typical HBM ESD protection level
FDS8817NZ中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0054 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 2400pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS8817NZ引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDS8817NZ Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8817NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.8 V 搜索库存
替代型号FDS8817NZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS8817NZ

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SO N-Channel 30V 15A 7mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8817NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.8 V

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FDS8817NZ和IRF8736PBF的区别

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30V,13.6A,N沟道功率MOSFET

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