针脚数 8
漏源极电阻 0.0054 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 2400pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS8817NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8817NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.8 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS8817NZ 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SO N-Channel 30V 15A 7mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8817NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.8 V | 当前型号 | |
型号: IRF8736PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 18A | 功能相似 | INFINEON IRF8736PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V | FDS8817NZ和IRF8736PBF的区别 | |
型号: IRF7821TRPBF 品牌: 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 30V 13.6A | 功能相似 | 30V,13.6A,N沟道功率MOSFET | FDS8817NZ和IRF7821TRPBF的区别 |