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AO3415、FDN304PZ、FDN304P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO3415 FDN304PZ FDN304P

描述 P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 1.5 W 500 mW 500 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 4A -2.40 A 2.40 A

输入电容(Ciss) 1450pF @10V(Vds) 1310pF @10V(Vds) 1312pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W 460 mW 460 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)

额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V

额定电流 - -2.40 A -2.40 A

额定功率 - - 0.5 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.036 Ω 52 mΩ

输入电容 - 1.31 nF 1.31 nF

栅电荷 - 12.0 nC 12.0 nC

漏源击穿电压 - 20 V -200 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V ±8.00 V

上升时间 - 15 ns 15 ns

下降时间 - 25 ns 15 ns

高度 1 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.92 mm 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99