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PMMT591A,215、PBSS5140T,215、PMMT591A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMMT591A,215 PBSS5140T,215 PMMT591A

描述 NXP  PMMT591A,215  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFEPNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNXP  PMMT591A  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 250 mW, 1 A, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

频率 150 MHz 150 MHz -

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 250 mW 0.45 W 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @100mA, 5V 300 @100mA, 5V 160

最大电流放大倍数(hFE) 300 @1mA, 5V - -

额定功率(Max) 250 mW 450 mW -

直流电流增益(hFE) 300 - 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 0.45 W 0.25 W

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1 mm 1 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17