PBSS5140T,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5140T,215中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.45 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V
额定功率Max 450 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.45 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS5140T,215引脚图与封装图
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在线购买PBSS5140T,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5140T,215 | NXP 恩智浦 | PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号PBSS5140T,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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