PMMT591A,215

NXP 恩智浦分立器件

NXP PMMT591A,215 单晶体管双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PMMT591A - SMALL SIGNAL

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

富昌:
PMMT591A 系列 40 V 1 A 表面贴装 PNP BISS 晶体管 - SOT-23-3

Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

Newark:
# NXP PMMT591A,215 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE

Win Source:
TRANS PNP 40V 1A SOT23 /

PMMT591A,215中文资料参数规格

技术参数

频率 150 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMMT591A,215引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PMMT591A,215	NXP 恩智浦	NXP PMMT591A,215 单晶体管双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE	搜索库存

替代型号PMMT591A,215

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PMMT591A,215 品牌： NXP 恩智浦封装： TO-236AB PNP 0.25W	当前型号	NXP PMMT591A,215 单晶体管双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE	当前型号
型号： PBSS5140T,215 品牌：恩智浦封装： TO23-6AB PNP 450mW	类似代替	PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors	PMMT591A,215和PBSS5140T,215的区别
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