MJD253-001、MJD253-1G对比区别

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型号 MJD253-001 MJD253-1G

描述 IPAK PNP 100V 4AON SEMICONDUCTOR  MJD253-1G  功率晶体管, PNP, -100V, D-PAK

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -100 V -100 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @200mA, 1V 40 @200mA, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W

频率 - 40 MHz

无卤素状态 - Halogen Free

耗散功率 - 12.5 W

最大电流放大倍数(hFE) - 180

直流电流增益(hFE) - 40

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 1400 mW

封装 TO-251-3 TO-251-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.35 mm

高度 - 2.38 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99